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摘要:
基于0.7 μm、ft=280 GHz的InP HBT工艺设计了一种双开关宽带超高速采样保持电路.芯片面积1.5 mm×1.8 mm,总功耗小于2.1W.仿真结果表明,电路可以在5 GS/s采样速率下正常工作.当采样速率分别为5 GS/s和1 GS/s时,在输入信号功率为4 dBm的情况下,采样带宽分别为16 GHz和20 GHz;在输入信号功率为4 dBm且其频率小于5 GHz的情况下,电路的SFDR分别不低于43 dBc和50 dBc.
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文献信息
篇名 基于InP HBT的5GS/s采样保持电路设计
来源期刊 电子与封装 学科 工学
关键词 采样保持电路 超高速 宽带 磷化铟 异质结双极晶体管
年,卷(期) 2017,(5) 所属期刊栏目 电路设计
研究方向 页码范围 20-23,36
页数 5页 分类号 TN402
字数 1800字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张敏 6 8 1.0 2.0
2 张有涛 19 40 4.0 5.0
3 李晓鹏 8 17 2.0 4.0
4 罗宁 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
采样保持电路
超高速
宽带
磷化铟
异质结双极晶体管
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与封装
月刊
1681-1070
32-1709/TN
大16开
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
2002
chi
出版文献量(篇)
3006
总下载数(次)
24
总被引数(次)
9543
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