1 MeV电子辐照下晶格匹配与晶格失配GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池辐射效应研究

• 作者: 孟宪松 方亮 李占行 玛丽娅·黑尼 艾尔肯·阿不都瓦衣提 郭旗 高伟 高慧
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 辐射效应 辐照退化 晶格匹配 晶格失配 三结太阳电池
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 463-469
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.2+3|O475
• 字数: 4741字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20173804.0463

摘要

对采用MOCVD方法制备的晶格匹配(LM)与晶格失配(UMM)GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池进行了1 MeV电子辐射效应研究.结果表明:在电子辐照下,两种电池的I-V特性参数(开路电压Voc,短路电流Isc,最大输出功率Pmax)均发生衰降,且晶格失配电池的I-V特性参数衰降均大于晶格匹配电池.在光谱响应方面,对于顶电池,晶格匹配电池的衰降大于晶格失配电池;而中间电池则前者衰降小于后者;另外,Ge底电池的光谱响应表现特殊,辐照后光谱响应变强.