Si掺杂SnO2基气体传感器抗湿性能研究

• 作者: 詹自力 闫贺艳 陈克城 陈志强 陈翔宇
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 SnO2 热线型气体传感器 Si掺杂量 湿度 H2
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 56-59,70
• 页数: 5页
• 分类号: TN389
• 字数: 3079字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2017.04.011

摘要

研究了以Si掺杂SnO2作为热线型气体传感器补偿元件材料来提高SnO2基气体传感器抗湿度干扰能力.采用共沉淀法制备Si掺杂SnO2作为补偿元件材料,Sb掺杂SnO2作为敏感元件材料,并对所制备材料进行表征.考察了Sb掺杂量对传感器响应值影响和Si掺杂SnO2对抗湿性能影响,同时讨论了抗湿性能机理.结果表明,敏感元件材料中摩尔比Sb/Sn为6％使SnO2基传感器对体积分数1000×10-6 H2灵敏度由108 mV提高至435 mV,补偿元件材料摩尔比Si/Sn为0.7％使湿度引起的响应值相对误差降至8.8％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	詹自力	郑州大学化工与能源学院	46	368	10.0	17.0
2	陈志强	郑州大学化工与能源学院	2	0	0.0	0.0
3	闫贺艳	郑州大学化工与能源学院	2	0	0.0	0.0
4	陈翔宇	郑州大学化工与能源学院	7	21	3.0	4.0
5	陈克城	郑州大学化工与能源学院	3	4	1.0	2.0