CdTe探测器能量刻度与探测效率的模拟计算

• 作者: 吴金杰 姚馨博 杨扬 王佳 王玉龙 陈成
• 来源期刊: 计量学报
• 学科: 工学
• 关键词: 计量学 CdTe探测器 探测效率 蒙特卡罗模拟 CT扫描
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 页码范围: 372-375
• 页数: 4页
• 分类号: TB98
• 字数: 2491字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-1158.2017.03.26

摘要

在实现对单能平行光子源的绝对测量之前,需要对CdTe探测器进行刻度.利用已知点源对CdTe探测器进行能量刻度,得到刻度曲线和能量分辨率,利用工业CT对CdTe探测器进行精确扫描,得到CdTe探测器内部结构,并以此为基础,利用MCNP5蒙特卡罗模拟程序建立CdTe探测器物理模型;计算20 ～150 keV能量段,能量间隔为1 keV每个能量点的探测效率,得到CdTe探测器的效率曲线图.发现CdTe探测器在低能段探测效率较高,但Te元素在27 keV和32 keV处产生了逃逸峰,探测效率有所下降,之后探测效率曲线呈现先上升后下降的趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴金杰		68	186	7.0	9.0
2	王佳		24	82	6.0	8.0
4	姚馨博		1	0	0.0	0.0
5	王玉龙		5	11	2.0	3.0
6	陈成		6	19	3.0	4.0
12	杨扬		12	32	4.0	5.0