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基于RC-CR多相网络的镜频抑制接收机MMIC
基于RC-CR多相网络的镜频抑制接收机MMIC
作者:
付兴昌
王宗成
赵宇
黄红云
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
单片微波集成电路(MMIC)
GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)
镜频抑制
多相网络
差分IQ混频器
摘要:
基于RC-CR多相网络技术研制了一款S波段镜频抑制接收机单片微波集成电路(MMIC),在MMIC芯片上集成S波段低噪声放大器(LNA)、差分IQ混频器、本振(LO)驱动放大器、RC-CR多相网络滤波器等电路单元,实现了S波段单片镜频抑制接收机,解决了镜频接收机小型化的问题.电路、电磁场软件仿真以及采用GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺流片后的结果表明,在S波段实现了噪声系数小于1.8 dB,增益大于12 dB,中频(150±5) MHz带内镜频抑制大于35 dBc的技术指标.MMIC的芯片尺寸为4.8 mn×2.5 mm×0.07 mm.此镜频抑制接收机MMIC具有指标优异、体积小、集成度高的特点,可广泛用于各种需小型化的相控阵雷达和通信系统中.
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文献信息
篇名
基于RC-CR多相网络的镜频抑制接收机MMIC
来源期刊
半导体技术
学科
工学
关键词
单片微波集成电路(MMIC)
GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)
镜频抑制
多相网络
差分IQ混频器
年,卷(期)
2017,(7)
所属期刊栏目
半导体集成电路
研究方向
页码范围
499-504
页数
6页
分类号
TN43
字数
语种
中文
DOI
10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.07.004
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
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G指数
1
付兴昌
中国电子科技集团公司第十三研究所
27
68
5.0
7.0
2
赵宇
中国电子科技集团公司第十三研究所
8
28
2.0
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3
黄红云
5
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王宗成
中国电子科技集团公司第十三研究所
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单片微波集成电路(MMIC)
GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)
镜频抑制
多相网络
差分IQ混频器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
开本:
大16开
出版地:
石家庄179信箱46分箱
邮发代号:
18-65
创刊时间:
1976
语种:
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
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