快速退火温度对Ag/SrTiO3/p+-Si器件阻变特性的影响

• 作者: 刘国保 卢晓鹏 张文博 王华 许积文
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: Ag/SrTiO3/p+-Si 快速退火 溶胶-凝胶 退火温度 阻变存储器 导电机制
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 46-51
• 页数: 6页
• 分类号: TN604
• 字数: 2344字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2017.04.009

摘要

采用溶胶-凝胶结合快速退火工艺在p+-Si基片上制备了SrTiO3薄膜,构建了Ag/SrTiO3/p+-Si结构的阻变器件,研究了退火温度对薄膜微观结构、阻变特性的影响.结果表明:不同退火温度下薄膜均呈结晶态,并且随退火温度升高,薄膜晶粒有增大的趋势,当退火温度为750℃时,薄膜的衍射峰不明显并且有杂峰出现.不同退火温度下Ag/SrTiO3/p+-Si器件都具有明显的双极性阻变特性,但退火温度为850℃与900℃的器件在扫描电压达到某一值时电流会出现一个极小值;经850℃退火处理的器件具有更高的高低电阻比(103～104).当退火温度为800℃及更高时,器件在高阻态下的导电机制以肖特基势垒发射机制为主;低阻态的电荷传导机制则遵循空间电荷限制电流机制(SCLC).器件在200次可逆循环测试下,退火温度为850℃时袁现出较好的抗疲劳特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王华	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	98	463	13.0	17.0
2	许积文	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	68	171	6.0	10.0
3	张文博	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	3	3	1.0	1.0
4	刘国保	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	3	3	1.0	1.0
5	卢晓鹏	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	1	2	1.0	1.0