理论研究Stone-Wales缺陷和C掺杂对手性BN纳米带的带隙调控

• 作者: 徐祥福 朱伟玲 赖国霞 陈星源
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: BN纳米带 Stone-Wales缺陷 第一性原理 带隙调控
• 年，卷（期）: 2017,（7）
• 页码范围: 1343-1347
• 页数: 5页
• 分类号: O562
• 字数: 1789字
• 语种: 中文

摘要

通过第一性原理密度泛函理论的方法,研究了Stone-Wales 缺陷和C掺杂对手性BN纳米带的带隙调控.结果表明,Stone-Wales 缺陷使得BN纳米带的价带顶(VBM)和导带底(CBM)的占据态发生变化,从而引入了缺陷能级降低了带隙,但Stone-Wales 缺陷的个数对带隙的大小影响不明显.电子结构计算表明,带Stone-Wales 缺陷的BN纳米带的缺陷能级主要是由VBM附近形成N-N原子的类π键轨道和CBM附近形成B-B原子的类σ键分布决定.通过在带Stone-Wales 缺陷的BN纳米带中引入C掺杂改变杂质能级的分布,在VBM附近形成了C-C原子的类σ键轨道和CBM附近形成了C-B原子的类σ键,这样可以进一步降低BN纳米带的带隙,拓展了BN纳米带的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱伟玲	广东石油化工学院应用物理系	36	75	5.0	7.0
2	陈星源	广东石油化工学院应用物理系	10	3	1.0	1.0
3	徐祥福	广东石油化工学院应用物理系	19	10	2.0	2.0
4	赖国霞	广东石油化工学院应用物理系	13	11	2.0	2.0