反应离子刻蚀硅槽工艺研究

• 作者: 蒋大伟 赵金茹 陈杰
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 硅槽刻蚀 氯气 溴化氢 反应离子刻蚀 光电继电器 硅电容
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 41-43
• 页数: 3页
• 分类号: TN405.98+3
• 字数: 2534字
• 语种: 中文

摘要

在CMOS多晶硅刻蚀工艺的基础上进行工艺开发,采用氯气和溴化氢气体进行硅槽刻蚀.通过对功率、压力、气体流量等工艺参数拉偏,用扫描电子显微镜观察硅槽侧壁形貌,分析各参数在反应离子刻蚀中所起到的作用,得到对硅槽形貌影响较大的因素,最终得到一种能够与CMOS工艺兼容的硅槽刻蚀方法.该方法能够制作出深度6 μm、深宽比4∶1、侧壁光滑的硅槽,可以用于光电继电器、硅电容等新型器件的研发.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈杰	中国电子科技集团公司第五十八研究所	21	35	3.0	5.0
2	赵金茹	中国电子科技集团公司第五十八研究所	4	9	2.0	3.0
3	蒋大伟	中国电子科技集团公司第五十八研究所	2	3	1.0	1.0