14nm FinFET栅围寄生电容的建模与拟合

• 作者: 任佳琪 刘程晟 孙亚宾 李小进 石艳玲 郑芳林
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 鳍式场效应晶体管 TCAD 寄生电容 器件模型
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 706-709
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文

摘要

提出了一种基于保角映射方法的14 nm鳍式场效应晶体管(FinFET)器件栅围寄生电容建模的方法.对FinFET器件按三维几何结构划分寄生电容的种类,再借助坐标变换推导出等效电容计算模型,准确表征了不同鳍宽、鳍高、栅高和层间介质材料等因素对寄生电容的依赖关系.为了验证该寄生电容模型的准确性,对不同结构参数的寄生电容进行三维TCAD仿真.结果表明,模型计算结果与仿真结果的拟合度好,准确地反映了器件结构与寄生电容之间的依赖关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石艳玲	华东师范大学信息科学技术学院电子工程系	47	205	8.0	12.0
2	李小进	华东师范大学信息科学技术学院电子工程系	32	83	5.0	7.0
3	孙亚宾	华东师范大学信息科学技术学院电子工程系	7	8	2.0	2.0
4	刘程晟	华东师范大学信息科学技术学院电子工程系	2	4	2.0	2.0
5	郑芳林	华东师范大学信息科学技术学院电子工程系	2	5	2.0	2.0
6	任佳琪	华东师范大学信息科学技术学院电子工程系	1	2	1.0	1.0