GdI3∶Ce晶体的生长及其闪烁性能研究

• 作者: 任国浩 史坚 叶乐 徐家跃 李焕英 陈晓峰 黄跃峰
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: GdI3∶2％Ce晶体 坩埚下降法 闪烁性能
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 346-350
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174
• 字数: 3596字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20160381

摘要

通过坩埚下降法生长GdI3∶2％Ce及无掺杂GdI3闪烁晶体,得到φ15 mm×20 mm的晶体毛坯,从中加工出尺寸分别为12 mm×10 mm×2.5 mm和11 mm×8 mm×2.5 mm的无包裹体、无开裂的晶体样品,封装后检测该晶体光学性能.XRD分析结果表明:掺杂晶体GdI3∶2％Ce与无掺杂GdI3晶体结构相同.X射线激发发射(XEL)和紫外激发发射谱(PL)测试结果显示:GdI3∶2％Ce晶体在450～700 nm有宽带发光峰,发光峰位分别位于520 nm和550 nm,对应于Ce3+的5d-4f跃迁发光.以550nm为监控波长,测得在紫外激发下存在三个激发峰,分别位于262、335和440 nm.GdI3∶2％Ce晶体在137Cs源伽马射线(662 keV)激发下能量分辨率为3.4％,通过高斯拟合得到的衰减时间为58±3 ns.研究表明,GdI3∶2％Ce晶体是一种良好的伽马和中子探测材料,具有广泛的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈晓峰	中国科学院上海硅酸盐研究所	36	993	16.0	31.0
2	任国浩	中国科学院上海硅酸盐研究所	59	357	9.0	15.0
3	李焕英	中国科学院上海硅酸盐研究所	16	61	5.0	7.0
4	徐家跃	上海应用技术大学材料科学与工程学院	87	198	6.0	9.0
5	黄跃峰	中国科学院上海应用物理研究所	14	183	6.0	13.0
6	叶乐	上海应用技术大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0
10	史坚	中国科学院上海硅酸盐研究所	4	6	1.0	2.0