热处理温度对磁控溅射AZO薄膜的电学性能影响

• 作者: 唐立丹 王冰 赵斌
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 化学
• 关键词: 磁控溅射 AZO薄膜 热处理温度 结构特性 电阻率
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 页码范围: 417-420
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2|O647
• 字数: 2466字
• 语种: 中文

摘要

利用射频磁控溅射制备了Al掺杂的ZnO(AZO)薄膜,通过X线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)及四探针等手段对薄膜进行了表征,研究了不同热处理温度对AZO薄膜的形貌、结构和电学性能的影响.研究表明,Al的掺杂体积分数约为1.2％,随着热处理温度的升高,薄膜颗粒大小均匀,AZO薄膜衍射峰强度先增强后减弱,当热处理温度为450℃时,该AZO薄膜的结晶性最好,电阻率最小为0.024 7 Ω·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵斌	辽宁工业大学材料科学与工程学院	9	9	2.0	3.0
2	唐立丹	辽宁工业大学材料科学与工程学院	54	108	5.0	8.0
3	王冰	辽宁工业大学材料科学与工程学院	68	107	5.0	6.0