电磁脉冲对MOSFET的热损伤效应研究

• 作者: 居培凯 徐建明 曹兵 贾巍
• 来源期刊: 上海航天
• 学科: 工学
• 关键词: 金属氧化物半导体场效应管 电磁脉冲 热损伤效应 注入法 阶跃脉冲 偏压上升时间 偏压幅值 器件温升
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 页码范围: 120-125
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1

摘要

针对金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)在电磁脉冲作用下的热损伤问题,提出了一种新的热分析方法,通过仿真漏极注入阶跃脉冲下器件内部的温度响应研究了其损伤机理和规律。基于热效应半导体基本方程和热流方程,建立了用于仿真的器件模型和数值模型。采用注入法,以阶跃脉冲信号为输入,仿真研究了不同偏压上升时间和幅值下的器件损伤。结果发现:阶跃脉冲电压幅值一定时,MOSFET器件内部的温升过程及最后达到的最大温度与脉冲上升时间无关,器件在经过雪崩击穿、电流模式二次击穿后,温度迅速上升直至器件烧毁,烧毁所用时间与脉冲上升时间满足线性关系;脉冲上升时间一定时,器件温升随电压幅值增加而明显加快,器件能达到的最高温度也随之增加,器件烧毁所需时间与电压幅值的大小满足幂函数关系。研究对MOSFET的电磁脉冲毁伤机理认识和加固防护设计有一定的参考价值。