论文降重
免费查重
High energy proton and heavy ion induced single event transient in 65-nm CMOS technology
基本信息来源于合作网站，原文需代理用户跳转至来源网站获取
摘要：
推荐文章
65nm双阱CMOS静态随机存储器多位翻转微束及宽束实验研究
多位翻转
静态随机存储器
双阱
电荷共享
重离子
微束实验
65nm CMOS工艺时钟发生器的设计与实现
Delta-sigma
模数转换器
抖动
锁相环
基于65 nm CMOS工艺的D波段功率放大器设计
D波段
CMOS
功率放大器
中和
变压器
65 nm三阱CMOS静态随机存储器多位翻转实验研究
多位翻转
静态随机存储器
三阱
双极效应
重离子
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
(/次)
(/年)
文献信息
| 篇名 | High energy proton and heavy ion induced single event transient in 65-nm CMOS technology | ||
| 来源期刊 | 中国科学 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | |||
| 年，卷（期） | zgkx_2017,（12） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 119-121 | |
| 页数 | 3页 | 分类号 | TP13 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
五维指标
引文网络
引文网络
二级参考文献 (0)
共引文献 (0)
参考文献 (0)
节点文献
引证文献 (0)
同被引文献 (0)
二级引证文献 (0)
2017(0)
- 参考文献(0)
- 二级参考文献(0)
- 引证文献(0)
- 二级引证文献(0)
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
期刊文献
相关文献
推荐文献
