集成电路无损缺陷分析方法探讨

• 作者: 方文潮
• 来源期刊: 电子质量
• 关键词: 集成电路 弱磁探测 无损分析 缺陷 失效
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 页码范围: 99-102
• 页数: 4页
• 分类号: TN407|O441.5
• 语种: 中文

摘要

集成电路失效/缺陷分析是可靠性分析的重要手段,目前的分析技术不能满足亚微米级集成电路无损分析需求.该文提出一种解决方案,利用弱磁探测技术无损绘制内部3维线路图和电流密度分布图,从而判断制作工艺是否存在缺陷,或者集成电路是否失效.被检测后的集成电路可以继续使用,这对于超高可靠性要求的使用场合尤为重要.文中还叙述了系统的工作原理,主要部分的结构及电路原理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方文潮		1	1	1.0	1.0