各向异性异质材料中的Goos-H(a)nchen位移研究

• 作者: 于忠卫 吉正源 钱盈家 黄艳艳
• 来源期刊: 南京大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 负折射率 准左手化材料 古斯-汉森位移 各向异性
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 页码范围: 708-714
• 页数: 7页
• 分类号: O441.4
• 字数: 3406字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13232/j.cnki.jnju.2017.04.013

摘要

对单轴各向异性材料中的负折射进行了讨论,并对具有负折射率的准左手介质(NI-QLHM)表面的古斯-汉森位移进行了详细的理论研究,给出了横电(TE)波和横磁(TM)波入射时的古斯-汉森位移d和穿透深度dz的表达式.对TE入射波的情况进行了数值模拟,结果显示,在μz<0的情况下,频率ω分布在4~6 GHz之间时,各向异性材料为NI-QLHM.而磁导率分量|μz|越小,在NI-QLHM频率区域越容易实现全反射;随着频率的增加,临界角减小,从而发生全反射的入射角的范围增加,同时也将导致准左手化材料的有效折射率减小.结果还显示,对于同一个入射角,随着频率ω的增加,古斯-汉森位移减小,即随着折射率n的减小,古斯-汉森位移减小.而穿透深度dz与古斯-汉森位移d相对应,穿透深度越大,古斯-汉森位移也越大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于忠卫	南通大学理学院	5	1	1.0	1.0
2	黄艳艳	南通大学理学院	5	3	1.0	1.0
3	吉正源	南通大学理学院	1	0	0.0	0.0
4	钱盈家	南通大学理学院	1	0	0.0	0.0