第三代半导体Ⅲ族氮化物的物理与工程——从基础物理到产业发展的典范

• 作者: 李顺峰 荣新 葛惟昆
• 来源期刊: 物理与工程
• 关键词: Ⅲ族氮化物 发光二极管 半导体技术 产业化 物理与工程的结合
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 新工科建设
• 页码范围: 4-19
• 页数: 16页
• 字数: 16114字
• 语种: 中文

摘要

以氮化镓(GaN)为代表的Ⅲ族氮化物属于宽禁带半导体,即通常所谓"第三代"半导体材料.作为Si、Ge以及传统Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体之后的新一代半导体材料,GaN 具有更大的禁带宽度、更高的击穿电场、更稳定的物理化学性质等优异特性,已经成为半导体研究极为重要的领域和国家重大研究方向.尽管Ⅲ族氮化物的晶体质量与传统半导体材料相比仍然有很大差距,但并不妨碍Ⅲ族氮化物及其量子结构在光电器件及电子器件中的广泛应用,围绕GaN及其他相关氮化物半导体的研究和开发,在物理与工程方面都具有极为特殊的意义,是基础物理研究和产业化应用结合的典范.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	荣新	北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心	6	9	1.0	3.0
2	李顺峰	北京大学物理学院东莞光电研究院	2	8	1.0	2.0
3	葛惟昆	北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心	4	8	1.0	2.0