溶剂熔区移动法生长Cd0.9Zn0.1Te晶体的工艺优化研究

• 作者: 凌云鹏 刘兆鑫 张滢 张继军 李明 杨柳青 梁小燕 沈悦 温旭亮 王林军 闵嘉华
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 溶剂熔区移动法 Cd0.9Zn0.1Te 红外透过率 直流稳态光电导
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 980-984
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174
• 字数: 2590字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20160658

摘要

为了解决Cd0.9Zn0.1Te(CZT)晶体生长温度高、单晶率低、成分不均匀等问题,采用溶剂熔区移动法(THM)在优化工艺参数下生长了掺In的CZT晶体,在优化晶体的生长温度、固液界面处的温度梯度、原位退火过程等生长条件后,生长出直径为45 mm的低Te夹杂浓度、高电阻率、高透过率、均匀的高质量CZT晶体.X射线衍射结果显示,晶体的结晶性较好、Zn成分轴向偏析小.红外透过光谱测试结果显示,晶体内部的杂质、缺陷水平相对较少,晶体整体的红外透过率在60%左右.紫外-可见光吸收光谱测试结果也进一步表明,晶体的均匀性良好.采用红外显微镜对晶体内部的Te夹杂形貌及其尺寸进行观察,结果表明Te夹杂的尺寸主要分布在0~10μm之间.采用直流稳态光电导技术测得电子的迁移率寿命积约为8×10-4 cm2/V.