金属掺杂对Y2 O3-Gd2 O3-HfO2浸渍W基阴极次级电子发射的影响

• 作者: 李云 王小霞 罗积润 蒋鹏宇 赵青兰
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 直热式阴极 次级电子发射(SEE) 大功率连续波磁控管 金属掺杂
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 电子器件
• 页码范围: 1212-1216
• 页数: 5页
• 分类号: O462.2
• 字数: 3583字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2017.12.15

摘要

Y2 O3-Gd2 O3-HfO2浸渍W基直热式阴极具有热发射电流密度大、工作温度低的特点,是一种用于大功率连续波磁控管的直热式阴极.本文主要研究了金属Re、W的掺杂对Y2 O3-Gd2 O3-HfO2浸渍W基直热式阴极次级电子发射系数的影响.通过测试表明Y2 O3-Gd2 O3-HfO2浸渍W基直热式阴极的次级电子发射系数(δm)为2.64,活性物质分别掺杂20%(质量比)和30%的Re粉和W粉后,阴极的最大次级电子发射系数(δm)都得到了提升,而且掺杂W粉的效果要优于掺杂Re粉.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李云	中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术重点实验室	63	321	9.0	14.0
2	罗积润	中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术重点实验室	72	330	11.0	13.0
3	王小霞	中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术重点实验室	36	144	7.0	9.0
4	赵青兰	中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术重点实验室	13	88	6.0	8.0
5	蒋鹏宇	中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术重点实验室	1	1	1.0	1.0