双Buck逆变器损耗分析

• 作者: 卢志钢 林琼斌 苏先进 蔡逢煌 陈佳桥
• 来源期刊: 电器与能效管理技术
• 学科: 工学
• 关键词: 双Buck逆变器 宽禁带SiC器件 磁性元件 损耗
• 年，卷（期）: 2017,（22）
• 所属期刊栏目: 分布式电源及并网技术
• 页码范围: 44-49
• 页数: 6页
• 分类号: TM464
• 字数: 2260字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16628/j.cnki.2095-8188.2017.22.009

摘要

针对双Buck半桥逆变器,分别分析了采用传统Si开关器件和新型宽禁带SiC开关器件情况下的损耗,并制作了1台1 kW试验样机.理论分析与试验结果表明,通过独立二极管续流的双Buck型逆变器能充分发挥宽禁带SiC开关器件优势,开关损耗明显降低;随着开关频率提高,SiC开关器件损耗增加不明显,说明SiC开关器件组成的双Buck型逆变器中随开关频率变化的损耗以磁性元件损耗变化为主.