插指型SiO2电流阻挡层对大功率LED外量子效率的影响

• 作者: 丁星火 刘星童 刘梦玲 吕家将 周圣军 胡红坡 郑晨居 高艺霖
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 大功率LED 插指型SiO2电流阻挡层 电流拥挤 外量子效率
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 786-792
• 页数: 7页
• 分类号: TN383
• 字数: 3666字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20173806.0786

摘要

为了改善蓝光大功率LED芯片p电极处的电流拥挤现象,提高大功率LED芯片的外量子效率,在ITO透明导电层与p-GaN间沉积插指型SiO2电流阻挡层.采用等离子体增强化学气相沉积的方法沉积SiO2薄膜,再经过光刻和BOE湿法刻蚀技术制备插指型SiO2电流阻挡层.采用SimuLED仿真软件分析插指型SiO2电流阻挡层对大功率LED芯片电流扩展性能的影响,研究插指型SiO2电流阻挡层对大功率LED芯片外量子效率的影响.结果发现,插指型SiO2电流阻挡层结构可以有效改善p电极附近的电流拥挤现象.与没有沉积插指型SiO2电流阻挡层的大功率LED芯片相比,光输出功率得到显著的提高.在350 mA的输入电流下,沉积插指型SiO2电流阻挡层后的大功率LED芯片的外量子效率提高了18.7%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕家将	武汉大学动力与机械学院	5	21	3.0	4.0
2	刘星童	武汉大学动力与机械学院	2	2	1.0	1.0
3	郑晨居	武汉大学动力与机械学院	4	10	2.0	2.0
4	刘梦玲	武汉大学动力与机械学院	3	4	2.0	2.0
5	高艺霖	武汉大学动力与机械学院	1	2	1.0	1.0
6	胡红坡	武汉大学动力与机械学院	1	2	1.0	1.0
7	丁星火	武汉大学动力与机械学院	1	2	1.0	1.0