基于抗静电设计的集成电路可靠性技术研究

• 作者: 杨菊瑾
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 可靠性 静电放电 ESD保护电路 集成电路工艺 晶闸管 栅接地场效应管
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 22-25
• 页数: 4页
• 分类号: TN40
• 字数: 3508字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2017.02.006

摘要

集成电路工艺发展到深亚微米阶段,器件的物理尺寸日益减小,芯片的可靠性设计面临的问题越来越复杂.为缩短研制周期,节约成本,应在电路设计时就考虑可靠性问题.ESD是CMOS电路中最为常见的失效机理之一,严重的会造成电路自我烧毁.概述了集成电路的可靠性设计,介绍了CMOS集成电路ESD保护的必要性,分析了ESD的失效机理,研究了在CMOS电路中几类常见的ESD保护方法,分析了各种保护方式的原理和特点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨菊瑾	中国电子科技集团公司第四十七研究所	4	8	2.0	2.0