S吸附对SiC表面不同重构结构的影响

• 作者: 晁苗苗 杨莺
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiC 吸附 表面重构
• 年，卷（期）: 2017,（7）
• 页码范围: 1283-1287
• 页数: 5页
• 分类号: O411
• 字数: 3213字
• 语种: 中文

摘要

SiC表面重构的发生会引起表面态密度增加,极大地影响SiC功率器件的性能.本文对4H/6H-SiC(0001)-Si端的(3×3)R30°和(3×3)重构结构及3C-SiC(0001)-Si端的(3×2)和(2×1)重构结构分别进行了S原子的吸附研究.结果表明:吸附S原子可以打开表面重构键,不同重构结构均有向体结构恢复的趋势.(3×3)R30°和(3×3)重构的最佳吸附率分别是1/2ML和1/3ML,S吸附对(3×3)R30°重构的作用更大.(3×2)重构表面在1/6ML下的H3位吸附、(2×1)重构表面在1/2ML下的B位吸附时吸附能最低.S钝化后,3C-SiC比4H/6H-SiC体系表面吸附能小,更稳定,重构结构恢复更理想.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨莺	西安理工大学电子工程系	11	48	5.0	6.0
2	晁苗苗	西安理工大学电子工程系	2	2	1.0	1.0