GaN基HEMT器件的缺陷研究综述

• 作者: 李松宇 柏常青 郭伟玲 陈艳芳 雷亮
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT) 缺陷 陷阱效应
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 760-767
• 页数: 8页
• 分类号: TN304.2|TN386.3
• 字数: 3959字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20173806.0760

摘要

GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)因具有高输出功率密度、高工作频率、高工作温度等优良特性,在高频大功率等领域具有广泛应用前景.目前,HEMT器件在材料生长和工艺制备方面都取得了巨大的进步.但是,由缺陷产生的陷阱效应一直是限制其发展的重要原因.本文首先论述了HEMT器件中的表面态、界面缺陷和体缺陷所在位置及其产生的原因.然后,阐述了由陷阱效应引起的器件电流崩塌、栅延迟、漏延迟、Kink效应等现象,从器件结构设计和工艺设计角度,总结提出了改善缺陷相关问题的主要措施,其中着重总结了器件盖帽层、表面处理、钝化层和场板结构4个方面的最新研究进展.最后,探索了GaN基HEMT器件在缺陷相关问题上的未来优化方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭伟玲	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	74	656	10.0	23.0
2	李松宇	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	8	22	3.0	4.0
3	陈艳芳	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	6	17	3.0	4.0
4	雷亮	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	4	11	2.0	3.0
5	柏常青	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	1	5	1.0	1.0