高压下XeF2结构稳定性及电子结构性质的理论研究

• 作者: 师瑞丽 杨炳方 王彪 王海燕
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 结构性质 高压 第一性原理 能带结构
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 781-784
• 页数: 4页
• 分类号: O521+.2
• 字数: 1754字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2017.04.019

摘要

采用平面波赝势密度泛函理论方法研究了惰性气体化合物XeF2在0～80 GPa压力范围内的结构性质,计算值与实验值相符合.根据我们计算得到的不同压力XeF2的弹性常数,结合力学稳定性判据,证实XeF2的I4/mmm结构在80 GPa压力范围内是稳定的.计算了不同压力下XeF2的带隙,发现带隙随着压力的增大而减小.当压力大于10 GPa时,XeF2的带隙随压力的增大近似呈线性减小趋势.表明随着压力的增大XeF2晶体由绝缘体向半导体转变,且金属性越来越强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王海燕	河南理工大学材料科学与工程学院	37	106	5.0	8.0
2	王彪	上海出入境检验检疫局工业品与原材料检测技术中心	10	23	3.0	3.0
3	杨炳方	河南理工大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0
4	师瑞丽	河南理工大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0