硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线及其若干半导体器件

• 作者: 徐秋霞 许高博 陶桂龙
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: Ⅲ-Ⅴ族纳米线 异质结 场效应晶体管 激光器 太阳电池
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 411-420
• 页数: 10页
• 分类号: TN304.23
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.06.002

摘要

综述了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线与异质结制备技术的研究进展.针对基于Ⅲ-Ⅴ族纳米线的半导体器件,重点介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管的研究现状,详细介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管和隧穿场效应晶体管的制备流程、工艺技术和器件的电学性能,并对影响器件电学性能的因素进行了分析.概括介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线激光器和硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线太阳电池的研究成果,基于硅衬底的Ⅲ-Ⅴ族纳米线太阳电池为低成本、高效能的太阳电池领域开辟了新途径.研究结果表明,采用硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线制备的场效应晶体管、激光器及太阳电池等半导体器件相对于Si,Ge等传统半导体材料制备的器件有着巨大的优势,在未来集成电路技术中具有越来越大的影响力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐秋霞	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	37	108	6.0	8.0
5	许高博	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	8	21	3.0	4.0
9	陶桂龙	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	2	2	1.0	1.0