IGCT在快脉冲条件下开通过程研究

• 作者: 杨晓亮 王朋 罗光耀 罗敏 金晖
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 集成门极换流晶闸管 固态源 脉冲功率 快脉冲
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 微电子、微系统与物理电子学
• 页码范围: 861-866
• 页数: 6页
• 分类号: TN914.42
• 字数: 3813字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201705.0861

摘要

集成门极换流晶闸管(IGCT)开关具有耐压高、通流能力强、工作重频高的特点,然而在纳秒级脉冲功率系统中应用较少.本文以株洲南车生产的非对称性IGCT做开关,通过搭建脉冲形成网络(PFN)纳秒级放电回路,初步研究了IGCT在快放电过程中的开关导通情况.通过理论分析、数值模拟和实验验证发现,目前工业领域的IGCT器件由于触发电流难以有效扩展导通,导致IGCT导通速度存在饱和值,很难在纳秒级别的脉冲下直接实现开关作用,但可以作为脉冲压缩的前级开关使用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗敏	中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波技术重点实验室	28	207	8.0	13.0
2	罗光耀	中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波技术重点实验室	12	21	3.0	4.0
3	杨晓亮	中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波技术重点实验室	3	2	1.0	1.0
4	金晖	中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波技术重点实验室	9	14	2.0	3.0
5	王朋	中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波技术重点实验室	7	9	2.0	2.0