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摘要:
随着体硅CMOS电路工艺尺寸的不断缩小,数字电路在宇宙空间中受到的单粒子效应愈发严重.特别是触发器结构电路,单粒子效应中的单粒子翻转效应会造成触发器内部存储的数据发生错乱,影响电路正常工作.提出了一种带自刷新功能的三模冗余触发器设计,改进了传统三模冗余触发器设计只表决修正输出不刷新错误数据的不足.
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一种抗单粒子瞬态辐射效应的自刷新三模冗余触发器
单粒子瞬态脉冲
抗辐射加固
触发器
三模冗余
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单粒子效应
寄存器
辐照效应
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单粒子效应
单粒子翻转
单粒子瞬态脉冲
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触发器
双置位
内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 一种带自刷新功能的三模冗余触发器设计
来源期刊 电子与封装 学科 工学
关键词 单粒子翻转 抗辐射加固 触发器 三模冗余
年,卷(期) 2017,(7) 所属期刊栏目 电路设计
研究方向 页码范围 25-27
页数 3页 分类号 TN303
字数 1770字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王文 中国电子科技集团公司第五十八研究所 6 83 3.0 6.0
2 封晴 中国电子科技集团公司第五十八研究所 5 21 3.0 4.0
3 曹靓 中国电子科技集团公司第五十八研究所 6 15 3.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
单粒子翻转
抗辐射加固
触发器
三模冗余
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与封装
月刊
1681-1070
32-1709/TN
大16开
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
2002
chi
出版文献量(篇)
3006
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24
总被引数(次)
9543
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