基于柔性显示器件的氧化铝介电层室温制备

• 作者: 兰林锋 刘贤哲 姚日晖 宁洪龙 彭俊彪 徐苗 曾勇 王磊 胡诗犇 蔡炜 郑泽科 陈建秋 陶瑞强
• 来源期刊: 光学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜 柔性薄膜晶体管 氧化铝 介电层 射频磁控溅射 室温制备
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 363-368
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/AOS201737.0331001

摘要

在室温环境下采用射频磁控溅射方法制备了氧化铝(Al2O3)薄膜,通过调节溅射气压实现了对薄膜特性的优化控制.当溅射功率为120 W、Ar气压强为0.13 Pa时,制备的Al2O3薄膜具有最好的厚度均匀性,薄膜中A1和O的原子比为1∶1.67,密度为3.21 g/cm3,粗糙度为0.62 nm.这种平滑、致密的薄膜结构能够有效地减少缺陷的形成,获得高击穿电压、高相对介电常数和低漏电等性能.利用优化后的Al2O3薄膜作为栅极绝缘层,在聚酰亚胺树脂(PI)基板上室温制备了柔性非晶态铟镓锌氧化物-薄膜晶体管(d-IGZO-TFT),其迁移率为2.19 cm2/(V·s),开关比达到10 5,亚阈值摆幅为0.366 V/decade,阈值电压为3.01 V.