低电容TVS二极管外延技术研究

• 作者: 史超 王海红 黄玉梅
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: TVS 自掺杂 高阻外延 扩展电阻剖面分析(SRP) 过渡区
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 60-63
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2839字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2017.06.014

摘要

低电容瞬态电压抑制器(TVS)是用来保护高频电路电压瞬变和浪涌防护的半导体器件,通过在重掺杂的P型掺硼衬底上生长近似本征的高阻N型外延层形成低电容导引二极管.高阻N型外延生长过程中的自掺杂现象特别严重,是产品量产面临的重大挑战.通过优化衬底背封工艺,采用外延缓冲层,结合高温烘烤,低温变速赶气等技术,从而在重掺杂P型衬底上生长出满足生产需要的高阻N型外延层,得到的器件电容及漏电均达到要求,产品良率达到98％以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王海红		6	6	2.0	2.0
2	黄玉梅		1	0	0.0	0.0
3	史超		1	0	0.0	0.0