表面处理与p层电导率对HIT电池性能的影响

• 作者: 杨静 沈艳娇 许颖 陈剑辉 陈静伟 麦耀华
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 表面处理 非晶硅 钝化 HIT电池 串联电阻
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 页码范围: 201-205
• 页数: 5页
• 分类号: TM914.4+1
• 字数: 3093字
• 语种: 中文

摘要

考虑到氢氟酸溶液对晶体硅表面具有去氧化和氢离子钝化表面悬键的双重作用,通过优化清洗工艺使得a-Si:H(i)/c-Si/a-Si:H (i)异质结构有效少子寿命达到2ms.研究不同沉积温度对p型非晶硅薄膜电导率的影响,结合后退火发现中温(150℃)生长高温后退火的方式优于直接高温(200℃)沉积,电导率和钝化效果都有明显改善.采用优化后的p层,a-Si:H(p+)/a-Si:H(i)/c-Si/a-Si:H(i)/a-Si:H(n+) (inip)结构少子寿命可达3.70 ms.制备的HIT电池具有优良的性能:开路电压Voc=700 mV,潜在的填充因子pFF=82％,短路电流密度Jsc=32.10 mA/m2,填充因子FF=72.35％,转换效率η=16.26％,对比Suns-VocⅠ-Ⅴ曲线和标准条件下测试的Ⅰ-Ⅴ曲线计算得串联电阻,分析FF与pFF差异的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨静	河北省光电信息材料重点实验室河北大学物理科学与技术学院	1	1	1.0	1.0
2	陈剑辉	河北省光电信息材料重点实验室河北大学物理科学与技术学院	1	1	1.0	1.0
3	沈艳娇	河北省光电信息材料重点实验室河北大学物理科学与技术学院	1	1	1.0	1.0
4	陈静伟	河北省光电信息材料重点实验室河北大学物理科学与技术学院	1	1	1.0	1.0
5	许颖	河北省光电信息材料重点实验室河北大学物理科学与技术学院	1	1	1.0	1.0