强激光下4H-SiC晶体电子特性的第一性原理研究

• 作者: 邓发明 高涛
• 来源期刊: 激光技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 激光技术 电子特性 密度泛函微扰理论 4H-SiC 激光照射
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 激光与光电子技术应用
• 页码范围: 240-246
• 页数: 7页
• 分类号: O469
• 字数: 6741字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2017.02.019

摘要

为了研究4H-SiC晶体在强激光辐照下电子特性及其变化,采用基于密度泛函微扰理论的第一性原理赝势的方法,对纤锌矿4H-SiC晶体在强激光照射下的电子特性的变化进行了理论分析和实验验证.结果表明,电子温度Te在0eV~2.75eV范围内时,4H-SiC仍然是间接带隙的半导体晶体;当电子温度Te升高达到并超过3.0eV以上时,4H-SiC变为直接带隙的半导体晶体;电子温度Te在0eV~2.0eV变化时,带隙值随电子温度升高而增大;电子温度Te在2.0eV~3.5eV变化时,带隙值随电子温度Te的升高而迅速地减小;当电子温度Te高于3.5eV以后,带隙已经消失而呈现出金属特性.该研究对制作4H-SiC晶体特殊功能电子元件是有帮助的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高涛	四川大学原子与分子物理研究所	71	281	9.0	13.0