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摘要:
Zinc oxide (ZnO) is a compound semiconductor with a direct band gap and high exciton binding energy.The unique property,i.e.,high efficient light emission at ultraviolet band,makes ZnO potentially applied to the short-wavelength light emitting devices.However,efficient p-type doping is extremely hard for ZnO.Due to the wide band gap and low valence band energy,the self-compensation from donors and high ionization energy of acceptors are the two main problems hindering the enhancement of free hole concentration.Native defects in ZnO can be divided into donor-like and acceptorlike ones.The self-compensation has been found mainly to originate from zinc interstitial and oxygen vacancy related donors.While the acceptor-like defect,zinc vacancy,is thought to be linked to complex shallow acceptors in group-VA doped ZnO.Therefore,the understanding of the behaviors of the native defects is critical to the realization of high-efficient p-type conduction.Meanwhile,some novel ideas have been extensively proposed,like double-acceptor co-doping,acceptor doping in iso-valent element alloyed ZnO,etc.,and have opened new directions for p-type doping.Some of the approaches have been positively judged.In this article,we thus review the recent (2011-now) research progress of the native defects and p-type doping approaches globally.We hope to provide a comprehensive overview and describe a complete picture of the research status of the p-type doping in ZnO for the reference of the researchers in a similar area.
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文献信息
篇名 Recent progress of the native defects and p-type doping of zinc oxide
来源期刊 中国物理B(英文版) 学科
关键词 zinc oxide native defects p-type doping acceptor
年,卷(期) 2017,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 27-49
页数 23页 分类号
字数 语种 英文
DOI 10.1088/1674-1056/26/4/047702
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zinc oxide
native defects
p-type doping
acceptor
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期刊影响力
中国物理B(英文版)
月刊
1674-1056
11-5639/O4
北京市中关村中国科学院物理研究所内
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