SoC中的伪双口RAM优化设计方法及应用

• 作者: 刘红侠 周清军
• 来源期刊: 计算机辅助设计与图形学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 伪双口RAM 单口RAM 功耗优化 面积优化 接口转换逻辑
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: VLSI设计与测试及电子设计自动化
• 页码范围: 372-376
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 字数: 3464字
• 语种: 中文

摘要

针对SoC中TP RAM的面积及功耗较大问题,提出一种优化设计方法.该方法将SoC中的TP RAM替换成SP RAM,并在SP RAM外围增加读写接口转换逻辑,使替换后的RAM实现原TP RAM的功能,以保持对外接口不变.将文中方法应用于一款多核SoC芯片,该芯片经TSMC 28nm HPM工艺成功流片,die size为10.7mm×11.9mm,功耗为17.2W.测试结果表明,优化后的RAM面积减少了24.4％,功耗降低了39％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘红侠	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点买验室	91	434	10.0	15.0
2	周清军	西安培华学院中兴电信学院	5	4	1.0	1.0