质子在氮化镓中产生位移损伤的Geant4模拟

• 作者: 何博文 申帅帅 贺朝会 陈袁妙梁
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 质子 氮化镓 位移损伤 Geant4
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 543-548
• 页数: 6页
• 分类号: TL341
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2017.51.03.0543

摘要

材料受到辐照时产生的位移损伤会导致其微观结构发生变化,从而使其某些使用性能退化,影响其使用效率,减短其使用寿命.利用Geant4模拟了质子在氮化镓中的输运过程,计算了1、10、100、500 MeV能量质子入射氮化镓材料产生的初级撞出原子的种类、能量信息及离位原子数.获得了10 MeV质子产生的位移缺陷分布;计算了4种能量质子入射氮化镓材料产生的非电离能量损失(NIEL);研究了质子产生位移损伤过程的影响要素.研究发现,入射质子能量对其在材料中产生的初级撞出原子的种类、能量、离位原子数等信息有着非常大的影响;单位厚度所沉积NIEL随着入射质子能量的增大而减小;10 MeV质子入射氮化镓所产生的离位原子数随入射深度的增加而增加,但在超出其射程范围以外有一巨大回落;能量并不是影响质子与氮化镓靶材料相互作用的唯一因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贺朝会	西安交通大学核科学与技术学院	35	120	5.0	10.0
2	何博文	西安交通大学核科学与技术学院	3	3	1.0	1.0
3	申帅帅	西安交通大学核科学与技术学院	3	2	1.0	1.0
4	陈袁妙梁	西安交通大学核科学与技术学院	1	1	1.0	1.0