利用Ag/P-GaN双光栅改善LED发光特性

• 作者: 李志全 李文超 牛力勇 王聪 童凯
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 发光二极管 表面等离子体 发光效率 光栅 辐射功率
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 现代应用光学
• 页码范围: 1185-1191
• 页数: 7页
• 分类号: TN312.8|O472.3
• 字数: 3327字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/OPE.20172505.1185

摘要

为了提高GaN基LED的发光效率,设计了一种新型LED模型,该模型主要包括Ag光栅,氧化铟锡过渡层和P-GaN光栅.首先阐述了利用该结构激发表面等离子体从而改善LED发光特性的原理,讨论了该模型的加工工艺与制作过程.基于COMSOL软件,利用有限元法对本文提出的LED模型进行了仿真分析,得出该模型在不同结构参数下,归一化辐射功率与归一化损耗功率随波长的变化规律以及电场分布情况.仿真结果表明,在ITO过渡层厚度为55 nm,周期为270 nm,占空比为0.5时,所设计的GaN基LED模型的发光强度较普通LED提高近30倍,这一结果为研制高性能GaN基LED提供了可靠基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李志全	燕山大学电气工程学院	201	1342	17.0	24.0
2	童凯	燕山大学电气工程学院	43	141	7.0	9.0
3	王聪	东北大学秦皇岛分校控制工程学院	26	286	8.0	16.0
4	李文超	燕山大学电气工程学院	5	14	2.0	3.0
5	牛力勇	东北大学秦皇岛分校控制工程学院	1	3	1.0	1.0