GGA+U方法研究ZnO孪晶界对VZn-NO-H复合体对p型导电性的影响

• 作者: 吴静静 唐壁玉 唐鑫 龙飞
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 密度泛函理论 ZnO 孪晶界
• 年，卷（期）: 2017,（13）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 233-241
• 页数: 9页
• 字数: 3613字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.66.137101

摘要

采用基于密度泛函理论的广义梯度近似平面波赝势方法,探究四种ZnO-Σ7(12-30)孪晶界中VZn-NO-H复合体的电子结构和p型导电机理.计算结果表明,在ZnO-Σ7(12-30)孪晶界中,N掺杂后会与锌空位(VZn)、氢填隙(Hi)等点缺陷结合,进而形成VZn-NO-H复合体,并出现在孪晶中的晶格应变集中区.此外,四种孪晶界中孪晶GB7a有利于VZn-NO-H离化能降低,从而使其表现出浅受主特征.分析显示特殊的孪晶结构导致了氮替位(NO)与近邻的O原子间距离缩短,阴离子之间发生相互作用,导致禁带中的空带能级下降,降低了电子跃迁所需能量.这一结果也说明GB7a孪晶界中的VZn-NO-H可能成为N掺杂ZnO材料的p型导电的来源之一.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龙飞	桂林理工大学有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室	43	259	7.0	15.0
5	唐鑫	桂林理工大学有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室	14	19	3.0	3.0
9	唐壁玉	广西大学化学化工学院	10	47	4.0	6.0
10	吴静静	桂林理工大学有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室	2	1	1.0	1.0