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摘要:
实验对全固态同轴―微带型横向半绝缘砷化镓(SI-GaAs)光电导开关传输特性进行了研究:当偏置电压达到一定阈值时,普通开关进入了非线性锁定(Lock-on)工作模式;在相同实验条件下,当微带线出现不连续时,输出的电脉冲波形没有出现锁定现象;分别用空气击穿的流注模型和微带线等效电容机理分析了微带线不连续效应引起整个开关电路性能变化及抑制开关Lock-on效应的原因.
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文献信息
篇名 微带线不连续性对光电导开关非线性特性的影响
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 SI-GaAs光电导开关 微带线 不连续 间隙 击穿
年,卷(期) 2017,(6) 所属期刊栏目 固态电子器件及材料
研究方向 页码范围 1387-1392
页数 6页 分类号 TN36
字数 2521字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2017.06.012
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 宋宇飞 南京工程学院通信工程学院 34 81 5.0 7.0
2 马湘蓉 南京工程学院通信工程学院 9 4 1.0 1.0
3 花涛 南京工程学院通信工程学院 8 7 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
SI-GaAs光电导开关
微带线
不连续
间隙
击穿
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
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5460
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21
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27643
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