SiC发光特性及其调控研究进展

• 作者: 吴燕 季凌飞 张永哲 王思聪 闫胤洲
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 碳化硅 宽禁带半导体 发光 发光调控
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 102-111
• 页数: 10页
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.11868/j.issn.1001-4381.2015.001179

摘要

碳化硅(SiC)作为第三代半导体的代表材料,具有禁带宽度大、热导率高和临界击穿电场高等特点,所制备的光电器件在高温、强辐射等极端、恶劣条件下有巨大的应用潜力.本文综述了国内外SiC发光性质的研究现状,介绍SiC发光的实际应用,阐述了单晶、纳米晶和薄膜不同形态SiC的制备方法及发光特点,并对SiC发光调控的研究进展进行了探讨与展望.利用新兴技术手段,可实现对SiC发光光谱和发光效率等性质的调控.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	季凌飞	北京工业大学激光工程研究院	33	207	7.0	14.0
2	吴燕	北京工业大学激光工程研究院	8	62	2.0	7.0
3	闫胤洲	北京工业大学激光工程研究院	8	137	5.0	8.0
4	张永哲	北京工业大学材料科学与工程学院	17	62	4.0	7.0
5	王思聪	北京工业大学激光工程研究院	2	7	2.0	2.0