MOSFET虚拟高阻值电阻的研究

• 作者: 吴秋新 支瑞卿 李严
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 微型医疗设备 集成电路 虚拟电阻 低截止频率
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 28-32
• 页数: 5页
• 分类号: TN386|TN402
• 字数: 3055字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2017.06.007

摘要

以小型、微型医疗设备为应用目标,针对用于生理信号处理的模拟前端集成电路设计这一环节所遇到的实现低截止频率的问题进行了研究,给出了实现低截止频率的重要思路,即用金属-氧化物-场效应晶体管(MOSFET)实现高阻值的虚拟电阻.文中介绍了MOSFET虚拟高阻值电阻的原理,针对几种MOSFET虚拟电阻进行了仿真和分析,并且在基本RC滤波器中进行了性能验证,仿真结果显示,MOSFET虚拟电阻的等效值可以在1010Ω以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴秋新		29	53	4.0	6.0
2	李严		8	11	2.0	3.0
3	支瑞卿		1	0	0.0	0.0