管式镀膜工艺对太阳电池并联电阻的影响

• 作者: 严金梅 何灿 张进臣 李吉 赵江雷
• 来源期刊: 太阳能
• 关键词: PECVD 介电常数 腐蚀速率 并联电阻
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 技术产品与工程
• 页码范围: 64-66,47
• 页数: 4页
• 字数: 1151字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0417.2017.01.013

摘要

主要研究不同沉积方式下并联电阻的差异,同时对管式镀膜工艺在不同工艺条件下并联电阻的变化关系进行研究.研究表明,影响并联电阻的主要因素为温度、氮硅比,并联电阻随温度的降低而不断升高,随温度的升高而降低;且其随氮硅比的增加而上升,随氮硅比的减少而下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵江雷		6	4	1.0	1.0
2	严金梅		10	8	2.0	2.0
3	李吉		9	11	2.0	2.0
4	张进臣		4	3	1.0	1.0
5	何灿		1	0	0.0	0.0