高纯硒化镉(CdSe)多晶原料的合成研究

• 作者: 倪友保 吴海信 张春丽 王振友 陈诗静 黄昌保
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硒化镉 多晶合成 Ⅱ-Ⅵ族半导体
• 年，卷（期）: 2017,（7）
• 页码范围: 1203-1208
• 页数: 6页
• 分类号: O78|TN21
• 字数: 3621字
• 语种: 中文

摘要

硒化镉(CdSe)是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,在核辐射探测、非线性频率转换等方面都有着重要的应用.高纯原料是生长优质CdSe单晶,实现上述应用的基础,但目前合成方法存在效率低、纯度不高等缺点.为此实验室对传统高温元素合成法进行优化,利用理论计算的反应温度点为指导,辅以外部加压,控制内外压差,有效实现原料的批量、安全合成,单次可合成200 g,经粉末衍射(XRD)、综合热分析(TG/DTA)、等离子发射光谱仪(ICP)等测试,合成的原料质量较好,能生长出较大尺寸单晶.文中对合成过程可能的纯度影响因素及控制措施也进行了相应讨论.