相控阵T/R组件中功放自激检测电路设计与实践

• 作者: 葛园园 马福博
• 来源期刊: 现代雷达
• 学科: 工学
• 关键词: 固态功放 自激 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)场效应管 氮化镓(GaN)
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 收/发技术
• 页码范围: 67-69,73
• 页数: 4页
• 分类号: TN957
• 字数: 2351字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16592/j.cnki.1004-7859.2017.12.015

摘要

固态相控阵雷达由于其阵面上组件弱故障率的特点,在现代雷达中大量应用.随着新型功率器件横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)场效应管和氮化镓(GaN)的广泛应用,其相对于硅(Si)双极器件容易自激的问题也日益突出,使得阵面存在极大的隐患.文中从自激产生的原理和危害入手,介绍了两种适合于阵面应用的自激检测电路.第一种为电流检测法,根据发射通道工作电流的变化判断,该方法只能检测出静态时出现自激故障的通道;第二种为脉宽检测法,根据开关控制信号和功率检波的时序关系进行判断,可以实现实时检测.在实际工程中可针对不同使用要求进行应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	葛园园		6	15	3.0	3.0
2	马福博		2	6	2.0	2.0