多晶硅的反应离子刻蚀(R IE)制绒绒面研究

• 作者: 屈小勇 张婷 王举亮 郭永刚 陈璐
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 反应离子刻蚀(RIE) 纳米凹坑绒面 反射率 SiNx膜沉积
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 页码范围: 2090-2094
• 页数: 5页
• 分类号: TM914
• 字数: 3107字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2017.10.041

摘要

实验基于反应离子刻蚀(Reaction Ion Eatching RIE)技术进行的多晶硅片纳米绒面制备,这种结构的绒面可明显降低晶体硅电池反射率,提高电池短路电流.实验具体指将多晶硅片在同一条件混酸溶液中腐蚀去除表面损伤,然后利用RIE制绒技术进行不同尺寸纳米绒面制备,根据绒面变化分别调整工艺进行清洗及电池制备,发现绒面小到一定程度时RIE制绒过程造成的损伤不易清洗去除且抗反射SiNx膜沉积困难.所以多晶硅片RIE制绒不可单纯的追求小绒面和低反射率,实验证明纳米绒面凹坑尺寸最小应控制在240~360 nm才能更稳定地匹配清洗、沉积抗反射膜等工艺从而制备出高光电转换效率的多晶硅电池.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈璐		7	7	2.0	2.0
2	郭永刚		12	8	2.0	2.0
3	王举亮		8	3	1.0	1.0
4	屈小勇		8	6	2.0	2.0
5	张婷		4	1	1.0	1.0