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基于90 nm CMOS毫米波共面波导建模
毫米波
共面波导
模型
CMOS
基于40 nm CMOS 工艺的 DAC IP核物理与时序建模
DAC IP核
物理模型
时序模型
基于55nm CMOS工艺的可变增益放大器
放大器
互补金属氧化物半导体
宽带
增益控制
180nm CMOS工艺下SEL敏感性关键影响因素
单粒子闩锁
器件模拟
设计加固
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 Terahertz detector for imaging in 180-nm standard CMOS process
来源期刊 中国科学 学科 工学
关键词 CMOS探测器 cmos工艺 太赫兹 NMOS晶体管 成像 标准 CMOS工艺 贴片天线
年,卷(期) 2017,(8) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 198-206
页数 9页 分类号 TN386
字数 语种 中文
DOI
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研究主题发展历程
节点文献
CMOS探测器
cmos工艺
太赫兹
NMOS晶体管
成像
标准
CMOS工艺
贴片天线
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国科学
月刊
CN 11-1789/N
出版文献量(篇)
3119
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13
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0
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