多晶硅晶体生长中固-液界面研究进展

• 作者: 刘俊 张发云 王发辉 胡云 陈小会 饶森林 龚洪勇
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 界面 定向生长 杂质 外场
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 页码范围: 2077-2082
• 页数: 6页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 3903字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2017.10.039

摘要

论述了多晶硅晶体生长技术的研究现状,探讨了多晶硅在定向凝固过程中的生长机制,重点阐述了多晶硅定向生长中固-液界面的形貌、杂质分布、数学模型、数值模拟以及外场对界面调控的影响,归纳总结目前国内外多晶硅生长界面的研究现状,展望了多晶硅晶体生长过程中固-液界面调控技术的发展前景.