In:Ga2O3氧化物半导体晶体的生长与性能研究

• 作者: 吴庆辉 唐慧丽 徐军 王庆国 罗平
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: In:Ga2O3晶体 浮区法 电导率
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 621-624
• 页数: 4页
• 分类号: O78
• 字数: 2841字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20160446

摘要

β-Ga2O3晶体是一种新型宽禁带氧化物半导体材料,本征导电性差.为了在调控导电性能的同时兼顾高的透过率和结晶性能,离子掺杂是一种有效的途径.采用光学浮区法生长出φ8 mm×50 mm蓝色透明In:Ga2O3晶体,晶体具有较高的结晶完整性.In3+离子掺杂后,β-Ga2O3晶体在红外波段出现明显的自由载流子吸收,热导率稍有减小.室温下,In:Ga2O3晶体的电导率和载流子浓度分别为4.94×10-4 S/cm和1.005×1016 cm-3,其值高于β-Ga2O3晶体约1个数量级.In:Ga2O3晶体电学性能对热处理敏感,1200℃空气气氛和氩气气氛退火后电导率降低.结果表明,In3+离子掺杂能够调控β-Ga2O3晶体的导电性能.