基于氮化镓器件的Boost PFC设计与损耗分析

• 作者: 张兴 王佳宁 高裴石
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: BoostPFC GaN 损耗分析 效率
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 1339-1347
• 页数: 9页
• 分类号: TM91|TM46
• 字数: 4030字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2017.06.003

摘要

基于硅(Si)器件的PFC Boost已被广泛研究.由于Si器件特性已经被使用接近极限,基于其的变换器特性也很难再提高.氮化镓(GaN)器件的逐渐普及为变换器性能提高到一个新的等级提供了可能.系统介绍一款基于GaN器件的Boost PFC的设计,从主电路设计、效率分析到控制原理.最终选用NCP1654作为电路控制器并采用GaN HEMT及SiC二极管实现了一款300 W 200 kHz的PFC,最高理论效率达到98.1%.通过仿真和实验验证了系统设计,展现了宽禁带器件在提升系统效率方面的潜力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张兴	合肥工业大学电气与自动化工程学院	332	7050	42.0	73.0
2	王佳宁	合肥工业大学电气与自动化工程学院	5	3	1.0	1.0
3	高裴石	合肥工业大学电气与自动化工程学院	1	3	1.0	1.0