碳纳米管蒸发特性及其对场发射性能的影响

• 作者: 吴庆春 唐春红 崔云康 王红兵
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳纳米管 场发射 蒸发特性 场增强因子 功函数
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 1329-1334
• 页数: 6页
• 分类号: O462.4
• 字数: 4526字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2017.06.001

摘要

为了探究场发射阴极电流的跌落机制,采用四极质谱仪分析的方法研究高温蒸发对阴极场发射性能的影响.实验结果表明:碳纳米管阴极在1173 K以上温度时开始蒸发出碳;在1373 K高温下连续蒸发100 h,碳纳米管阴极的开启场强增加21.7%,阈值场强增加31.7%,增强因子减小16.2%,功函数增加11.9%.扫描电镜(SEM)和能量色散X射线光谱仪(EDX)分析显示:增大的功函数和减小的场增强因子降低了阴极的场发射性能.阴极材料的蒸发是阴极电流跌落的重要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐春红	南京工程学院数理部	28	47	4.0	5.0
2	吴庆春	南京工程学院数理部	18	24	2.0	4.0
3	崔云康	南京工程学院数理部	23	81	5.0	8.0
4	王红兵	南京工程学院数理部	4	9	2.0	2.0