间歇式As中断生长InGaAs/GaAs量子点

• 作者: 丁召 周勋 王继红 罗子江
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 间歇式As中断 InGaAs 量子点 MBE/STM
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 热点·关注
• 页码范围: 5023-5027
• 页数: 5页
• 分类号: TN3|O47
• 字数: 4548字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2017.05.005

摘要

采用间歇式As中断方法利用分子束外延(MBE)生长了不同厚度的InGaAs量子点,并通过反射式高能电子衍射仪(RHEED)以及扫描隧道显微镜(STM)对其表面进行形貌表征与分析.研究发现间歇式As中断方法有利于改善量子点的均匀性,同时量子点的表面形貌特征由生长温度和沉积厚度决定;量子点沉积厚度越大,量子点面密度越高;在一定生长温度范围内,生长温度越高量子点分布均匀性越强,反之则越弱;研究还发现InGaAs量子点的生长过程中存在3个截然不同的阶段和两种明显的生长模式转变点,3个阶段分别是层状生长阶段、量子点形成阶段和量子点自合并成熟阶段,两种生长模式转变点分别是SK转变和量子点自合并熟化转变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗子江	贵州财经大学信息学院	46	63	4.0	6.0
2	王继红	贵州大学大数据与信息工程学院	24	46	3.0	5.0
3	丁召	贵州大学大数据与信息工程学院	67	161	6.0	8.0
4	周勋	贵州师范大学物理与电子科学学院	65	213	6.0	12.0