FinFET之后的集成电路制造工艺研究

• 作者: Mark LaPedus 电姬
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 芯片制造研究 鳍式场效电晶体管 FinFET 纳米片 纳米线
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 58-63
• 页数: 6页
• 分类号: TN405
• 字数: 5596字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2017.09.013

摘要

芯片制造商已经在基于10 nm和/或7 nm FinFET准备他们的下一代技术了,但我们仍然还不清楚FinFET还能坚持多长时间、用于高端设备的10 nm和7 nm节点还能延展多久以及接下来会如何.在5 nm、3 nm以及更小节点,半导体行业还面临着巨大的不确定性和许多难题.即使在今天,随着每个节点的工艺复杂度和成本的上升,传统的芯片尺寸缩减也在放缓.因此,能够负担先进节点芯片设计的客户越来越少.FinFET之后,集成电路将会怎么发展.